英特尔公布新节点命名方式 揭晓制程与封装路线规划
英特尔公司今日揭露制程与封装技术的最新规划，重新命名了制程节点。
英特尔表示，产业已意识到目前以奈米为基础的制程节点命名方式，并不符合自 1997 年起采用闸极长度为准的传统。英特尔今日公布其制程节点全新的命名结构，创造具备一致性的架构，给予客户更为精确的制程节点认知。英特尔执行长基辛格（Pat Gelsinger）表示，今天所揭晓的各种创新，不仅开展了英特尔的产品路线规划，它们对于晶圆代工的客户也相当重要。
英特尔技术专家以新的节点命名方式，详述下列未来制程与效能蓝图规划，以及各节点所具备技术：
- Intel 7：植基于 FinFET（鳍式场效电晶体）最佳化，相较 Intel 10nm SuperFin 每瓦效能可提升大约10％～15％。Intel 7 将会使用在 2021 年的 Alder Lake 用户端产品，以及 2022 年第一季量产的 Sapphire Rapids 资料中心产品。
- Intel 4：全面使用极紫外光（EUV）微影技术，透过超短波长的光，印制极小的形状。伴随每瓦效能提升约 20％，以及面积改进，Intel 4 将于 2022 下半年准备量产，2023 年开始出货，client 用户端Meteor Lake 和资料中心 Granite Rapids 将率先采用。
- Intel 3：Intel 3 相较 Intel 4 约能够提供 18％ 的每瓦效能成长幅度。Intel 3 将于 2023 下半年准备开始生产。
- Intel 20A：以 RibbonFET 和 PowerVia 这 2 个技术开创埃米（angstrom）时代。RibbonFET 为英特尔环绕式闸极（Gate All Around）电晶体的实作成果，亦将是自 2011 年推出 FinFET 后，首次全新电晶体架构。此技术于较小的面积当中堆叠多个鳍片，于相同的驱动电流提供更快的电晶体开关速度。PowerVia 为英特尔独特的背部供电，借由移除晶圆正面供电所需回路，以达最佳化讯号传递工作。Intel 20A 预计将于 2024 年逐步量产。英特尔也很高兴公布 Qualcomm 将采用 Intel 20A 制程技术。
- 2025 与未来：Intel 20A 之后，改良自 RibbonFET 的 Intel 18A 已进入开发阶段，预计于 2025 年初问世。
